几道大学模拟电路的判断题不用说理由 就给对错就行

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/05 09:17:23
几道大学模拟电路的判断题不用说理由 就给对错就行

几道大学模拟电路的判断题不用说理由 就给对错就行
几道大学模拟电路的判断题

不用说理由 就给对错就行

几道大学模拟电路的判断题不用说理由 就给对错就行

错.   少数载流子是空穴 .

对. FET 是电压驱动型,BJT 是电流驱动型.

错.共模信号是大小相等、极性相同.

对.这是负反馈的基本性质.

错.甲类功放效率大约为50%左右,而乙类功放效率能达到75%.

错.耗尽型 MOS 夹断电压是负值,栅源电压为零时 ID ≠ 0 .

对.不需解释了.

对.Vce ≈ 0 ,负半周被削平.